fot_bg01

hír

A lézerkristály növekedési elmélete

A huszadik század elején a modern tudomány és technológia alapelveit folyamatosan alkalmazták a kristálynövekedési folyamat szabályozására, és a kristálynövekedés művészetből tudományba kezdett fejlődni. Különösen az 1950-es évek óta az egykristályos szilícium által képviselt félvezető anyagok fejlődése elősegítette a kristálynövekedési elmélet és technológia fejlődését. Az elmúlt években a különféle összetett félvezetők és egyéb elektronikai anyagok, optoelektronikai anyagok, nemlineáris optikai anyagok, szupravezető anyagok, ferroelektromos anyagok és fém egykristályos anyagok fejlesztése számos elméleti problémához vezetett. És egyre összetettebb követelményeket támasztanak a kristálynövekedési technológiával szemben. A kristálynövekedés elvének és technológiájának kutatása egyre fontosabbá vált, és a modern tudomány és technológia fontos ágává vált.
Jelenleg a kristálynövekedés fokozatosan tudományos elméletek sorozatát alakította ki, amelyeket a kristálynövekedési folyamat szabályozására használnak. Ez az elméleti rendszer azonban még nem tökéletes, és még mindig sok a tapasztalaton múló tartalom. Ezért a mesterséges kristálynövekedést általában a kézművesség és a tudomány kombinációjának tekintik.
A teljes kristályok elkészítéséhez a következő feltételek szükségesek:
1. A reakciórendszer hőmérsékletét egyenletesen kell szabályozni. A helyi túlhűtés vagy túlmelegedés megelőzése érdekében befolyásolja a kristályok magképződését és növekedését.
2. A kristályosodási folyamatnak a lehető leglassabbnak kell lennie, hogy megakadályozzuk a spontán magképződést. Mivel a spontán gócképződés megtörténtekor sok finom részecske képződik, ami akadályozza a kristálynövekedést.
3. Hasonlítsa össze a hűtési sebességet a kristály gócképződési és növekedési sebességével. A kristályok egyenletesen nőnek, nincs koncentráció gradiens a kristályokban, és az összetétel nem tér el a kémiai arányosságtól.
A kristálynövekedési módszerek négy kategóriába sorolhatók a kiindulási fázis típusa szerint: olvadéknövekedés, oldatnövekedés, gőzfázisú növekedés és szilárdfázisú növekedés. Ez a négy típusú kristálynövekedési módszer több tucat kristálynövekedési technikává fejlődött, a szabályozási körülmények változásával.
Általánosságban elmondható, hogy ha a kristálynövekedés teljes folyamata lebomlik, annak legalább a következő alapvető folyamatokat kell magában foglalnia: oldott anyag oldódása, kristálynövekedési egység kialakulása, kristálynövekedési egység szállítása a tápközegben, kristálynövekedés A elem a kristály felületén és a kristálynövekedési határfelület átmenete, hogy megvalósuljon a kristálynövekedés.

vállalat
cég1

Feladás időpontja: 2022. december 07